[发明专利]TFT深接触孔制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT深接触孔制造方法，采用非晶化ITO膜层生长在厚绝缘层膜之上，利用图形化工艺将接触孔图形转移至此非晶化ITO膜层之上，在深接触孔刻蚀过程中无需多次曝光、干刻接触孔而形成深接触孔，一方面节省了工艺成本及提升工艺时间，另一方面由于无需多次剥离光刻胶，可明显提高产品的良率。本发明使得深接触孔制造工艺仅通过一次光刻图形化转移、一次干法刻蚀即可实现，节省工艺制造成本；同时无需考虑光刻胶长时间在干刻气氛的作用下变性而无法剥防干净，制作工艺简单，提高生产良率与生产节拍，本发明制作工艺简单，能有效提高生产节拍，在更低的生产成本的条件下，实现TFT阵列基板中TFT深接触孔的快速和高质量制造。

主权项

一种TFT深接触孔制造方法，其特征在于，包括如下步骤：a. 在清洗洁净的TFT基板上利用PECVD工艺沉积一层厚绝缘层膜，绝缘层膜的厚度根据工艺需求沉积比传统干刻工艺所能接受厚度更厚的厚度；b．在上述步骤a中制备的绝缘层膜之上用磁控溅射方法生长一层非晶化ITO膜层，使非晶化ITO膜层的厚度小于在上述步骤a中制备的绝缘层膜的厚度；c. 通过光刻图形化工艺，将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层上，然后按照非晶化ITO膜层上的接触孔图形所对应的施行湿法刻蚀区域形状，利用ITO刻蚀液对非晶化ITO膜层进行刻蚀，在非晶化ITO膜层上形成接触孔图形，使接触孔底部的绝缘层膜裸露出来，并利用剥离液剥离掉非晶化ITO膜层表面上的光刻胶，使具有接触孔的非晶化ITO膜层显露出来；d. 以在上述步骤c中制备的具有接触孔的非晶化ITO膜层作为绝缘层的干法刻蚀阻挡层，通过接触孔对绝缘层膜进行干法刻蚀，直至形成深接触孔，使深接触孔底部的TFT基板表面裸露出来；e. 再次利用ITO刻蚀液刻蚀掉非晶化ITO膜层，使具有深接触孔的绝缘层膜显露出来，从而完成TFT深接触孔制造过程；在上述步骤c中，对非晶化ITO膜层表面上进行图形化工艺时，首先在非晶化ITO膜层之上涂布一层光刻胶涂层，再经过光刻、显影、烘烤形成具有接触孔的光刻胶图形，使接触孔底部的非晶化ITO膜层裸露出来，即完成将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层上的工艺工程。