[发明专利]一种解决离子注入机路径污染的方法在审
| 申请号： | 201410193648.5 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN105097460A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刀正开;陈立峰;逄锦涛;张进创 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种解决离子注入机路径污染的方法，所述方法至少包括步骤：提供中轻原子量的离子作为离子源，调节离子注入机，使所述离子源被加速后在所经的路径上形成发散的离子束，所述离子束撞击路径内壁上的污染层，将污染层剥离；提供多个放置于离子注入机台上的控片，所述离子束及剥离后的污染层注入于所述控片中，完成所述污染层的去除。本发明提供的方法采用中轻原子量的离子作为离子源，通过离子源撞击路径内壁，可以有效去除离子束路径内壁上的污染物，解决离子注入机离子污染问题，减小机台注入剂量误差，提高机台的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 离子 注入 路径 污染 方法 | ||
【主权项】：
一种解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：提供中轻原子量的离子作为离子源，调节离子注入机，使所述离子源被加速后在所经的路径上形成发散的离子束，所述离子束撞击路径内壁上的污染层，将污染层剥离；提供多个放置于离子注入机台上的控片，所述离子束及剥离后的污染层注入于所述控片中，完成所述污染层的去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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