[发明专利]一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法及结构有效
| 申请号： | 201410193657.4 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN105093838B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法及结构，所述防止曝光系统中半影入射光掩模的方法至少包括步骤：提供一下表面具有掩模图案的光掩模，在所述光掩模的上表面边缘设置第一遮光层，以阻挡面光源在光掩模上形成的半影。本发明的方法通过在光掩模的上表面边缘设置第一遮光层，确保将面光源形成的半影阻挡在光掩模表面之上，一方面可以避免半影入射光掩模引起杂散光而使光掩模发热，另一方面可以避免半影曝光到晶圆上，影响晶圆曝光质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 曝光 系统 半影 入射 光掩模 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法，其特征在于，所述防止曝光系统中半影入射光掩模的方法至少包括：提供一下表面具有掩模图案的光掩模，在所述光掩模的上表面边缘设置第一遮光层，以阻挡面光源在光掩模上形成的半影，其中，所述第一遮光层始于半影的内边界；所述第一遮光层的宽度大于或等于半影的宽度；所述光掩模包括一透光基板、制作于所述透光基板下表面的相移层、制作于所述相移层下表面的第二遮光层，所述掩模图案包括主图区和边缘遮光区。
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