[发明专利]一种横向高压器件

摘要

本发明涉及半导体功率器件领域，具体的说是提出一种减小热载流子效应的横向高压器件。本发明为了克服传统横向高压器件的热载流子效应问题，在第一导电类型阱区中设置有轻掺杂的第一导电类型缓冲区，由于轻掺杂浅第一导电类型缓冲区的引入，减小了引入区域的第一导电类型阱区附近的电场强度，从而也就减小了热载流子注入到氧化层，器件由于热载流子效应造成的损伤降低，器件寿命增加。本发明尤其适用于横向高压器件。

主权项

一种横向高压器件，其元胞结构包括第二导电类型半导体衬底(1)、设置在第二导电类型半导体衬底(1)上层的第二导电类型体区(2)和第一导电类型阱区(3)；第二导电类型体区(2)的上层设置有相互独立的第二导电类型接触区(4)和第一导电类型源区(5)；第一导电类型阱区(3)上层设置有浅槽隔离区(7)和第一第一导电类型缓冲区(11)，其中浅槽隔离区(7)位于第二导电类型体区(2)和第一第一导电类型缓冲区(11)之间；第一第一导电类型缓冲区(11)的上层设置有第一导电类型漏区(6)；第二导电类型接触区(4)、第一导电类型源区(5)和第一导电类型漏区(6)的上端面分别设置有金属层(9)；第一导电类型源区(5)与浅槽隔离区(7)之间的第二导电类型体区(2)和第一导电类型阱区(3)的上端面设置有栅氧化层(10)；栅氧化层(10)的上端面设置有多晶硅栅(8)；金属层(9)之间填充氧化层(13)；其特征在于，第一导电类型阱区(3)中还设置有第二第一导电类型缓冲区(12)，第二第一导电类型缓冲区(12)位于浅槽隔离区(7)靠近第二导电类型体区(2)的一端，第二第一导电类型缓冲区(12)覆盖了浅槽隔离区(7)的拐角，且第二第一导电类型缓冲区(12)的掺杂浓度低于第一导电类型阱区(3)的掺杂浓度。