[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成含碳介质层；在所述含碳介质层表面形成富碳保护层，且所述富碳保护层材料中碳原子浓度大于含碳介质层材料中碳原子浓度；在所述富碳保护层表面形成图形化的硬掩膜层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀富碳保护层以及含碳介质层形成开口，所述开口底部暴露出衬底表面；形成填充满所述开口的金属层。本发明避免了底切现象的产生，提高形成的金属层的质量，进而优化半导体结构的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成含碳介质层；在所述含碳介质层表面形成富碳保护层，且所述富碳保护层材料中碳原子浓度大于含碳介质层材料中碳原子浓度；在所述富碳保护层表面形成图形化的硬掩膜层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀富碳保护层以及含碳介质层形成开口，所述开口底部暴露出衬底表面；形成填充满所述开口的金属层；其中，形成与富碳保护层相接触的硬掩膜层的工艺的反应原材料包括氧成分；所述硬掩膜层为第一硬掩膜层和第二硬掩膜层的叠层结构；所述图形化的硬掩膜层的形成步骤包括：依次在所述富碳保护层表面形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；在所述第二硬掩膜层内形成第一开口，所述第一开口底部暴露出第一硬掩膜层表面形成所述开口的工艺步骤包括：在所述第二硬掩膜层表面以及第一硬掩膜层表面形成具有第二开口的光刻胶层，所述第二开口宽度小于第一开口宽度，且第二开口底部暴露出第一硬掩膜层表面；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除第一硬掩膜层、富碳保护层以及部分厚度的含碳介质层，形成通孔；去除所述光刻胶层；以所述第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀去除第一硬掩膜层、富碳保护层以及部分厚度的含碳介质层，在含碳介质层内形成开口，所述开口底部暴露出衬底表面；在形成所述开口之后，还包括步骤：回刻蚀去除部分宽度的第二硬掩膜层，暴露出第二硬掩膜层侧壁与开口侧壁之间的第一硬掩膜层表面。