[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201410198292.4 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097899A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 周真 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体结构及其形成方法，包括依次层叠的硅基底；覆盖所述硅基底的第一层NiPt薄膜，及覆盖所述第一层NiPt薄膜的第二层NiPt薄膜，所述第一层NiPt薄膜中Pt的含量高于第二层NiPt薄膜中Pt的含量。本发明中利用与硅基底接触的第一层NiPt薄膜中Pt的含量较高，从而对NiSi的形成有利；而第二层NiPt薄膜中Pt的含量较低，在化学刻蚀比较容易去除，减少甚至避免了如在现有技术中容易形成的多种缺陷，这就提高了产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括： 硅基底； 覆盖所述硅基底的第一层NiPt薄膜；以及 覆盖所述第一层NiPt薄膜的第二层NiPt薄膜； 其中，所述第一层NiPt薄膜中Pt的含量高于第二层NiPt薄膜中Pt的含量。
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