[发明专利]具有缓冲材料和加强层的半导体器件有效
| 申请号： | 201410198377.2 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104218003B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | V·S·斯里达拉恩;A·S·科尔卡;P·R·哈珀 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L23/18 | 分类号： | H01L23/18;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 所描述的半导体器件包括：具有在衬底(例如半导体晶片)上的多个堆叠的裸片的半导体器件。在一个或多个实施方式中，采用根据本公开的示例技术的晶片级封装器件包括：晶片中形成有镀金属和通孔以及晶片的表面上具有氧化层的超薄半导体晶片，放置在该半导体晶片上的集成电路芯片，介于该集成电路芯片和该半导体晶片之间的底部填充层，形成在该半导体晶片、该底部填充层和该集成电路芯片的至少一侧上的缓冲材料，放置在该缓冲层和该集成电路芯片上的粘结层以及放置在该粘结层上的加强层。然后，可以将半导体器件分割成单个半导体芯片封装。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缓冲 材料 加强 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：加工过的半导体晶片，其中该半导体晶片包括至少一个通孔；放置在该半导体晶片的至少一部分上的介电层；耦接到该半导体晶片的集成电路芯片；放置在该半导体晶片和该集成电路芯片之间的底部填充层；放置在氧化层的至少一部分、该底部填充层和该半导体晶片上的缓冲材料层，并且该缓冲材料层覆盖该集成电路芯片的至少一部分；放置在该缓冲材料层和该集成电路芯片上的粘结材料；放置在该粘结材料上的加强层；以及形成在该加工过的半导体晶片上的至少一个焊料块。
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