[发明专利]栅极结构及其形成方法

摘要

本申请提供了一种栅极结构及其形成方法。根据本申请的栅极结构，包括依次叠置在衬底上的第一栅极和第二栅极，第一栅极包括第一平面部和至少一个突出于第一平面部的第一凸起部，第二栅极设置在第一平面部和第一凸起部的表面。根据本申请的栅极结构及形成方法，通过将第一栅极设置成第一平面部和至少一个突出于第一平面部的第一凸起部，并且第二栅极设置在第一平面部和第一凸起部的表面，相比现有技术，第一栅极和第二栅极的耦合面积增加了第一凸起部的侧面，进而增大第一栅极和第二栅极之间的耦合电容，提高栅极结构的电容耦合率。

主权项

一种栅极结构，包括依次叠置在衬底(10)上的第一栅极(30)和第二栅极(80)，其特征在于，所述第一栅极(30)包括第一平面部(31)和至少一个突出于所述第一平面部(31)的第一凸起部(32)，所述第二栅极(80)设置在所述第一平面部(31)和所述第一凸起部(32)的表面。