[发明专利]掩模板及基板标记制作方法在审
| 申请号： | 201410203162.5 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103995433A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 魏小丹;张兴强;赵巍;闫虹旭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杜秀科 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种掩模板及基板标记制作方法，以提高基板标记制作的准确性，降低产品的监控难度，降低生产成本。掩模板包括：显示区域掩模部；至少一对测试标记掩模部，每一对测试标记掩模部位于显示区域掩模部的两侧且位置相对，每一个测试标记掩模部远离显示区域掩模部的外侧对应设置有保护标记掩模部，保护标记掩模部的图形轮廓大于测试标记掩模部的图形轮廓。使用该掩模板对具有双重曝光区的相邻两个面板区域进行曝光时，即使第一次曝光与第二次曝光存在位置偏差，也能够保证测试标记的图形轮廓大小与理论设计相符，因此，使用该基板标记制作方法能够提高基板标记制作的准确性，降低产品的监控难度，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 模板 标记 制作方法 | ||
【主权项】：
一种掩模板，其特征在于，包括：显示区域掩模部；至少一对测试标记掩模部，每一对测试标记掩模部位于显示区域掩模部的两侧且位置相对，每一个测试标记掩模部远离显示区域掩模部的外侧对应设置有保护标记掩模部，所述保护标记掩模部的图形轮廓大于所述测试标记掩模部的图形轮廓。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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