[发明专利]多晶金属氧化物图形的制备方法有效
| 申请号： | 201410204209.X | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104037060B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李梁梁;郭总杰;郭会斌;王守坤;冯玉春;刘晓伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶金属氧化物图形的制备方法，对非晶金属氧化物膜层上的预定区域进行激光退火处理，使所述预定区域内的非晶金属氧化物转化为多晶金属氧化物；对所述预定区域外的所述非晶金属氧化物进行刻蚀处理，以去除所述预定区域外的所述非晶金属氧化物，本发明提供的技术方通过先激光退火处理以使预定区域内的非晶金属氧化物转化为多晶金属氧化物，然后再对预定区域外的非晶金属氧化物进行刻蚀，从而得到多晶金属氧化物图形，该制备方法生产工序简单，可有效的缩短生产周期，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 金属 氧化物 图形 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶金属氧化物图形的制备方法，其特征在于，包括：对非晶金属氧化物膜层上的预定区域进行激光退火处理，使所述预定区域内的非晶金属氧化物转化为多晶金属氧化物；对所述预定区域外的所述非晶金属氧化物进行刻蚀处理，以去除所述预定区域外的所述非晶金属氧化物；所述对非晶金属氧化物膜层上的预定区域进行激光退火处理的步骤包括：利用激光光源照射所述非晶金属氧化物膜层上的预定区域；所述激光光源包括若干个激光点光源，所述利用激光光源照射所述非晶金属氧化物膜层上的预定区域的步骤包括：利用光学系统将每个所述激光点光源产生的激光进行处理，使得每个所述激光点光源投影在所述非晶金属氧化物膜层上的形成有预定形状，全部所述激光点光源投影在所述非晶金属氧化物膜层上的所构成的形状与所述预定区域的形状相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
