[发明专利]钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410204305.4 申请日: 2014-05-14
公开(公告)号: CN104022226B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 孟庆波;杨月勇;肖俊彦;卫会云;李冬梅;罗艳红;吴会觉 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 代理人: 范晓斌,郭海彬
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法。钙钛矿基薄膜太阳电池包括透明衬底;在所述透明衬底上形成的透明导电层;在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层;在所述致密层上形成的且为绝缘材料的多孔支架层,所述多孔支架层内部的孔隙中填充有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料;以及在所述多孔支架层上形成的且为导电碳材料的对电极层。本发明采用碳材料作为对电极材料,在性能相当的情况下,其成本远远低于用蒸镀的方法制备的贵金属对电极。本发明中的钙钛矿吸光材料在制备好支架层后直接填充形成吸光层,制备的电池在光电流、光电转化效率等性能参数上明显优于现有技术制备的基于碳对电极的钙钛矿基薄膜太阳电池。
搜索关键词: 钙钛矿基 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钙钛矿基薄膜太阳电池,包括:透明衬底;在所述透明衬底上形成的透明导电层;在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层;在所述致密层上形成的且为绝缘材料的多孔支架层,所述多孔支架层内部的孔隙中填充有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料;以及在所述多孔支架层上形成的且为非多孔形式的导电碳材料的对电极层;所述对电极层是在所述多孔支架层已填充所述有机金属半导体吸光材料之后才形成在所述多孔支架层上的,以使得所述对电极层中无明显的所述有机金属半导体吸光材料的存在。
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