[发明专利]扩张均匀性高的扩晶机在审
| 申请号： | 201410205369.6 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN104008986A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 彭晖 | 申请（专利权）人： | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528220 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体行业和LED行业使用的扩晶机，沿互相垂直的两条芯片切割道方向扩张十字形蓝膜，使得粘贴在十字形蓝膜上已经切好的晶元均匀扩张、芯片互相分离，相邻芯片之间的距离相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨和定位时间，达到芯片级封装或晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 扩张 均匀 扩晶机 | ||
【主权项】：
一种扩晶机，包括：框架结构、顶膜结构、压膜结构、压环结构；所述顶膜结构沿竖直方向往返运动，扩张放置在其上的十字形蓝膜；所述压膜结构设置在所述框架结构上方，压紧和放松十字形蓝膜；所述压环结构设置在所述顶膜结构的上方，所述压环结构下降，使得扩张后的十字形蓝膜保持扩张状态；其特征在于，所述顶膜结构，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖，未经佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410205369.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种手足印胶泥
- 下一篇：一种烷氧基硅环氧聚苯胺复合树脂及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
