[发明专利]半导体器件、互连层和互连层的制作方法有效
| 申请号： | 201410206393.1 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN105097658B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件、互连层和互连层的制作方法，该互连层的制作方法包括：在半导体衬底上形成具有凹槽的介电层；在凹槽内形成金属层；填充介电层的表面中的孔隙；在介电层的表面及金属层的表面上形成金属盖层。本申请中的互连层的制作方法是在形成金属层之后，填充介电层的表面中的孔隙，并在介电层的表面中的孔隙被填充后再在介电层的表面及金属层的表面上形成金属盖层。这样，由于介电层的表面中的孔隙已经被填充，于是，形成金属盖层的材料便不再容易渗透进入介电层表面的孔隙中了，进而在介电层中也不容易产生导电通路了，有效地降低了互连层出现漏电情况的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连层 介电层 金属层 金属盖层 半导体器件 填充介电层 制作 填充 介电层表面 漏电 导电通路 有效地 衬底 半导体 申请 | ||
【主权项】：
1.一种互连层的制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成具有凹槽的介电层；在所述凹槽内形成金属层；填充所述介电层的表面中的孔隙；在所述介电层的表面及所述金属层的表面上形成金属盖层；其中，使二烯烃与所述介电层的表面进行接触处理以填充所述介电层的表面中的孔隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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