[发明专利]蚀刻装置有效
| 申请号： | 201410207252.1 | 申请日： | 2014-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN104167379B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 铃木英和;柴垣真果;关口笃史 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及蚀刻装置。所述蚀刻装置包括能够被抽空的腔室；第一电极，被设置在腔室中，并包含被配置为支撑托盘的托盘支撑部分，所述托盘能保持多个基板并将基板加载到腔室中及从腔室卸载基板；以及电压施加单元，被配置为向第一电极施加电压。电介质板被附接于第一电极的正表面的面对基板的非目标表面的外缘部分的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
一种用于通过等离子体蚀刻多个基板的下表面的蚀刻装置，所述装置包括：能够被抽空的腔室；上电极(2)，被设置在腔室中；下电极(11)，被设置在腔室中；托盘支撑部分(5)，从上电极(2)悬挂并被配置为支撑具有多个基板容纳孔(41a、41b、41c)的托盘(4)，其中所述多个基板被保持为使得所述多个基板位于与上电极(2)和下电极(11)分离的位置，其中所述多个基板的下表面隔着用于蚀刻所述下表面的等离子体面对下电极(11)，并且所述多个基板的上表面面对上电极(2)；以及电压施加单元，被配置为向上电极施加电压，其中，电介质板被布置在上电极和所述多个基板之间，以使得电介质板被附接于上电极(2)的下部正表面的面对所述多个基板中的每一个的上表面的外缘部分的至少一部分的部分，其中所述电介质板被布置为与所述多个基板中的每一个的上表面不接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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