[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201410208812.5 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN104183611B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 冈崎裕美 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固态成像装置和电子设备。该固态成像装置包括:半导体层,多个像素沿着光接收面排列在半导体层上,该光接收面是半导体层的主表面;光电转换单元,其针对半导体层中的各个像素设置;以及沟槽元件隔离区域,其通过在半导体层的光接收面侧所形成的沟槽图案中设置绝缘层来形成,沟槽元件隔离区域设置在从各像素之间的像素边界偏移的位置处。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种成像装置,其包括:半导体基板,具有作为光入射面的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;多个光电转换单元,被布置于所述半导体基板中;沟槽区域,包括被布置于所述半导体基板中的第一沟槽区域和第二沟槽区域,所述第一沟槽区域被布置于所述多个光电转换单元的两个光电转换单元之间,且所述第二沟槽区域被布置成与所述多个光电转换单元的至少一者相邻;金属区域,包括第一金属区域和第二金属区域,所述金属区域被布置为与所述第一表面相邻,其中,所述第一金属区域覆盖所述第一沟槽区域的至少一部分且所述第二金属区域覆盖所述第二沟槽区域的至少一部分;滤色器,包括设置在所述第一表面的上侧的第一滤色器和第二滤色器,其中,所述第一滤色器覆盖所述第一金属区域的至少一部分且所述第二滤色器覆盖所述第二金属区域的至少一部分;第一开口,与所述第一滤色器相对应;第二开口,与所述第二滤色器相对应;遮光膜,包括所述第一金属区域和所述第二金属区域,所述遮光膜具有开口,所述开口包括所述第一开口和所述第二开口,其中,所述第一沟槽区域沿着水平方向在第一方向上从所述第一金属区域偏移,且其中,所述第二沟槽区域沿着所述水平方向在与所述第一方向相反的第二方向上从所述第二金属区域偏移,其中,所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸基本相同,且其中,所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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