[发明专利]铟互连机构及其制备方法、焦平面装置及其封装方法有效
| 申请号： | 201410209061.9 | 申请日： | 2014-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN105097659B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 黄宏娟;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L31/02;H01L31/18;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,杨林 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铟互连机构，用于焦平面器件的封装，包括一绝缘基板，所述绝缘基板上设置有多个通孔，所述通孔的壁上设置有一金属层，所述通孔中填充有一铟柱，所述铟柱延伸出所述通孔的两端，在所述铟柱的两端分别形成焊球。本发明还公开了如上所述的铟互连机构的制备方法。本发明还公开了一种焦平面装置及其封装方法，该焦平面装置包括焦平面器件以及读出电路，还包括如前所述的铟互连机构；所述焦平面器件和读出电路通过所述铟互连机构连接。本发明提高了焦平面器件连接的良品率以及连接质量，大大降低了器件的生产成本；并且，该铟互连机构结构简单，制备工艺简便，适于大规模的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 机构 及其 制备 方法 平面 装置 封装 | ||
【主权项】：
一种铟互连机构，用于焦平面器件的封装，其特征在于，包括一绝缘基板，所述绝缘基板上设置有通孔，所述通孔中填充有一铟柱，所述铟柱延伸出所述通孔的两端，在所述铟柱的两端分别形成焊球。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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