[发明专利]薄膜晶体管、显示单元、以及电子设备

摘要

本公开提供了一种薄膜晶体管，该膜晶体管包括：基底；在基底上形成的第一隔离膜；在第一隔离膜上的选择区中形成的第二隔离膜，具有针对氢的阻隔性质；氧化物半导体层，包括在第二隔离膜上形成的第一部分以及在第一隔离膜上形成的第二部分，其中第一部分作为活性层，以及第二部分具有比第一部分更低的电阻；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上形成并在栅电极与该第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏电极，电连接到氧化物半导体层的第二部分。第一隔离膜具有针对来自基底的杂质的阻隔性质，以及化学的减少氧化物半导体层的特性。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：基底；第一隔离膜，形成在所述基底上；第二隔离膜，在所述第一隔离膜上的选择区中形成，并且具有针对氢的阻隔性质；氧化物半导体层，包括在所述第二隔离膜上形成的第一部分以及在所述第一隔离膜上形成的第二部分，所述第一部分作为活性层，以及所述第二部分具有比所述第一部分低的电阻；栅电极，在所述氧化物半导体层的所述第一部分上形成，并在所述栅电极与所述第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏电极，电连接到所述氧化物半导体层的所述第二部分，所述第一隔离膜具有针对来自所述基底侧的杂质的阻隔性质，以及针对所述氧化物半导体层的还原特性，并且所述第一隔离膜包含氢，通过包含于第一隔离膜中的氢夺取包含于氧化物半导体层的膜中的氧键，使所述氧化物半导体层的电子密度增加以及电阻减小。