[发明专利]一种小直径、金属性单壁碳纳米管的生长方法和应用有效
申请号: | 201410209462.4 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN104005004A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 侯鹏翔;李金成;刘畅;成会明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C01B31/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及金属性单壁碳纳米管的直接、可控制备领域,具体为一种小直径、金属性单壁碳纳米管的生长方法和应用。以液态含氮有机物为碳源和氮源,以氢气和氩气为载气,以非金属氧化硅为催化剂,利用化学气相沉积法生长单壁碳纳米管,氮在碳纳米管成核、生长过程中作用于催化剂,并原位掺杂在单壁碳纳米管网格上,在一定温度下同时进行单壁碳纳米管的生长和氮元素的掺杂,最终获得小直径、金属性的单壁碳纳米管网络样品。本发明实现了金属性单壁碳纳米管直接控制生长,且得到的样品不含金属污染物,突破了直接制备金属性单壁碳纳米管的瓶颈,克服了现有后处理分离方法获得金属性碳纳米管的缺点,即对碳纳米管本征结构破坏严重、过程复杂等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 直径 金属性 单壁碳 纳米 生长 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种小直径、金属性单壁碳纳米管的生长方法,其特征在于,以液态含氮有机物为碳源和氮源,以氢气和氩气为载气,以非金属氧化硅为催化剂,通过氮元素与非金属催化剂的作用调控碳纳米管的生长,同时原位掺杂,制备小直径、金属性单壁碳纳米管,样品中不含金属杂质,具体步骤如下:首先,在清洗干净的p型硅片上溅射非金属纳米颗粒氧化硅形成10~50nm氧化硅薄膜,放入石英舟中;将管式炉升温到800~950℃,待温度稳定时将石英舟放入炉尾端低温区;其次,封闭炉口、抽真空至5~15Pa、通入氢气30~100毫升/分钟和氩气100~300毫升/分钟,使其恢复常压后将石英舟推到恒温区热处理1~20分钟;最后,通过转换阀让氩气以100~200毫升/分钟的流量流经有机液态前驱体、携带碳源、氮源进入反应区,有机液态前驱体置于20~50℃的恒温水浴锅中,生长5~20分钟,关闭氢气,通过转换阀使氩气直接通入反应区进行清洗,再将石英舟推到低温区,随炉冷却至100℃以下。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的