[发明专利]一种光电化学冶金提取半导体元素的方法有效
| 申请号： | 201410211364.4 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN105088262B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘芳洋;顾鄂宁;杨佳;蒋良兴;唐定;李劼 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C25C1/22 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电化学冶金提取半导体元素的方法，特别是指碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋等半导体元素的光电化学提取，属于湿法冶金技术领域。本发明在电解沉积池内，往阴极引入照射光，通过光电化学沉积，在阴极上得到半导体；电解所用电解液为含半导体元素的导电液体；所述半导体元素包括碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋中的至少一种；所述照射光中含有能量大于或者等于所沉积半导体带隙宽度的光子。本发明具有流程短、能耗低、生产效率高、回收率高、成本低、环境友好等优势，便于大规模工业化生产和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 化学 冶金 提取 半导体 元素 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电化学冶金提取半导体元素的方法，其特征在于：在电解沉积槽内，用光线照射阴极，通过光电化学沉积，在阴极上得到半导体；电解所用电解液为含半导体元素的导电液体；所述半导体元素包括碲、锗、硒、硅、锡、锑、铋中的至少两种；照射阴极的光线中含有能量大于或者等于所沉积半导体带隙宽度的光子；同时电解沉积两种或两种以上半导体元素时，控制阴极还原电流密度为1～800A/m2，控制电解槽电压为0.1～12V，控制阴极沉积电势为0～‑5V，控制电解沉积为1～500小时；电解沉积时，所述阴极沉积电势的参照系为氢标准电极。
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