[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法有效
申请号: | 201410214045.9 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN103985787A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 谷士斌;杨荣;何延如;赵冠超;温转萍;李立伟;孟原;郭铁 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 065001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法,由于采用等离子体浸没离子注入技术对透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理,可以得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜,因此可以将该具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜应用于太阳能电池的前电极,以起到较强的减反或陷光作用。此制绒方法不仅可以避免湿法刻蚀所引进的杂质沾污对太阳能电池性能的影响,并且采用等离子体浸没离子注入技术在透明导电氧化物薄膜上制作绒面结构,还可以灵活调整绒面结构,从而提升太阳能电池的光电转换性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 氧化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法,其特征在于,包括:在样品上形成透明导电氧化物薄膜;将形成有所述透明导电氧化物薄膜的样品置于绒面制备装置的注入腔室中;对放置有所述透明导电氧化物薄膜的样品的绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理;向经过所述抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体;在所述绒面制备装置的注入腔室中将所述刻蚀气体转换为等离子体后,采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理,得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新奥光伏能源有限公司,未经新奥光伏能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410214045.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:Delta并联机器人
- 下一篇:一体化机箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的