[发明专利]一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法

摘要

本发明提出了一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，使用高厚度、大平面尺寸的载片给予超薄石英基片双面光刻蚀时的粘接支撑作用，同时利用基片透明属性透过基片标记观测掩模标记实现双面对准，可以简单、方便地用于超薄石英基片上双面薄膜电路图形的光刻刻蚀操作，良品率大幅提升；在进行背面图形化工艺时，不需要增加额外的减薄、抛光、光刻设备及工艺，使用与单面电路光刻蚀一样的光刻机设备即可实现背面图形和正面图形的对准，能够大幅度的降低生产成本。

主权项

一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤101：将超薄石英基片双面抛光并将其设置形成正反面金属薄膜；步骤102：通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化上表面形成薄膜电路图形和对准标记；步骤103：通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化下表面形成双面对准窗口；步骤104：利用基片透明属性将金属化上表面对准标记与掩膜版对准标记实现对准，通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化下表面形成对应的薄膜电路图形。