[发明专利]低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法

摘要

本发明公开了一种低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，主要是利用低能离子注入介导技术高效、定向地将Ri质粒导入黄芩外植体中，促使Ri质粒与黄芩基因组发生重组整合，实现诱导黄芩毛状根的目的，所得的黄芩毛状根形态上多丛生，分枝多，无向地性，能够不依赖激素快速生长，能稳定生物合成黄芩苷，诱导率可达20～55％，黄芩苷含量可达16.47～19.56％。本发明提供的方法不仅操作简便，适用范围更广泛，将为单子叶植物及裸子植物的毛状根体系建立奠定基础。

主权项

一种低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将黄芩外植体转接到含50～200μg/mL乙酰丁香酮的MS固体培养基中，转接后于25～28℃黑暗培养2～3天，培养后用无菌水将黄芩外植体表面的培养基冲洗干净，冲洗干净后将黄芩外植体表面的无菌水用无菌风吹干，吹干后在黄芩外植体上划痕；2)经过步骤1)后，将黄芩外植体放置于离子注入机的真空靶室内，然后对黄芩外植体进行低能离子注入；3)将经过低能离子注入的黄芩外植体浸泡入含Ri质粒的TE缓冲溶液中并进行避光温育，温育的时间为2～4h，温育的温度为25～28℃，然后将黄芩外植体接种于含0.1～0.5mg/L吲哚‑3‑丁酸的MS固体培养基中，接种后于25～28℃黑暗培养21～25天诱导出毛状根。