[发明专利]一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构及双漏极结构的SOI高压器件在审
| 申请号： | 201410216630.2 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097920A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张炯;曲凯;徐帆;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新的可用于集成电路的具有阶梯形屏蔽槽耐压结构及双漏极结构的SOI高压金属氧化物半导体场效应管器件，本发明公开了一种新型SOI高压器件的结构，器件在使用场板技术、表面P降场层的双RESURF技术来提高横向击穿电压的同时；其特征在于：此器件具有双漏电极，增加了耗尽区与漏区的面积，减弱了横向电常，提高了横向击穿电压；对于器件的纵向耐压，器件通过在Si和埋层Si02界面上形成了阶梯形的屏蔽槽的结构来解决。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阶梯 屏蔽 耐压 结构 双漏极 soi 高压 器件 | ||
【主权项】：
一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压双扩散金属氧化物半导体场效应管器件，器件的横向耐压仍使用场板技术、表面P降场层的双RESURF技术来解决；其特征是：此器件具有双漏电极，增加了耗尽区与漏区的面积，减弱了横向电常，提高了横向击穿电压；对于器件的纵向耐压，器件是通过在Si和埋层Si02界面上形成了阶梯形的屏蔽槽的结构来解决。
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