[发明专利]一种SOI功率LDMOS场效应晶体管的结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410216632.1 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097922A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐帆;俞佳佳;蒋乐乐 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了SOI功率LDMOS场效应晶体管及其制造方法，以提高击穿电压，其中该LDMOS结构，在半导体表面形成半圆形或弧形开口；进行离子注入，在所述开口处形成漏极缓变掺杂区，所述漏极缓变掺杂区环绕所述半圆形开口；在所述漏极缓变掺杂区内形成漏区。本发明的LDMOS结构栅极与漏极之间的漏极缓变掺杂区有一个半圆形的沟槽，使得漂移区的电势随着圆形沟槽底部变化，使得电场分布更加分散，从而提高了击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 功率 ldmos 场效应 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI功率LDMOS 场效应晶体管的结构，包括：一个含有介质埋层（2）的半导体衬底层（1）；位于半导体衬底内部的圆形开口（3）；位于半导体衬底内部的源极缓变掺杂区（4）；位于半导体衬底内部的漏极缓变掺杂区（5）；位于有源区之上的栅极结构（6）；位于栅极与有源区之间的层间介质层（7）；以及位于介质层内部的金属接触（8）；其特征在于，所述开口的下半部分嵌在漏区中呈圆形或椭圆形；所述开口中填有氧化物介质。
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