[发明专利]功率器件结构在审
| 申请号： | 201410216638.9 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097924A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐帆;徐晓威;刘志东;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，包括漂移区及位于漂移区中的阱，该阱与漂移区的极型相反，该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。该方法包括在该漂移区中注入粒子形成阱的步骤，其中注入的粒子需使得该阱的极型和漂移区极型相反，在该步骤中采用的粒子注入表面轮廓线全部或部分是曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，包括漂移区及位于漂移区中的阱，该阱与漂移区的极型相反，其特征在于，该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。
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