[发明专利]一种监控电子显微镜化学油污污染的方法有效
| 申请号： | 201410216685.3 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103972127A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;瞿燕;龙吟;刘飞珏;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种监控电子显微镜化学油污污染的方法，包括：建立短流程工艺，短流程工艺至少包括依次执行的金属阻挡层生长步骤、金属填充步骤以及金属平坦化步骤；在电子显微镜进行添加润滑油之后，选用短流程硅片，对刚好执行完金属阻挡层生长步骤后的硅片进行缺陷观察动作；将被观察的硅片按照所建立的短流程工艺流片到执行完金属平坦化步骤；在金属平坦化步骤后对硅片进行缺陷检查以确定被观察的硅片是否存在金属损伤缺陷。如果被观察的硅片不存在金属损伤缺陷，确定不存在电子显微镜化学油污污染。如果被观察的硅片不存在金属损伤缺陷，确定不存在电子显微镜化学油污污染。本发明可监控电子显微镜是否受到化学物污染，避免污染在线产品，为良率提供保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监控 电子显微镜 化学 油污 污染 方法 | ||
【主权项】：
一种监控电子显微镜化学油污污染的方法，其特征在于包括：建立短流程工艺，该短流程工艺至少包括依次执行的金属阻挡层生长步骤、金属填充步骤以及金属平坦化步骤；在电子显微镜进行添加润滑油之后，选用短流程硅片，对刚好执行完金属阻挡层生长步骤后的硅片进行缺陷观察动作；将被观察的硅片按照所建立的短流程工艺流片到执行完金属平坦化步骤；在金属平坦化步骤后对被观察的硅片进行缺陷检查，以确定被观察的硅片是否存在金属损伤缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
