[发明专利]钝化层制造方法及高压半导体功率器件

摘要

本发明提供一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件。该方法包括通过热氧化方法在硅衬底表面上生成第一氧化硅层；在第一氧化硅层表面上沉积形成掺氧半绝缘多晶硅层；在掺氧半绝缘多晶硅层表面上沉积形成掺氮半绝缘多晶硅层；在掺氮半绝缘多晶硅层表面上生成第二氧化硅层。本发明提供的钝化层制造方法，可以有效提高掺氧半绝缘多晶硅层中氧含量的均匀性，减少了由界面缺陷形成的固定电荷，防止器件出现性能衰退；且还能减少掺氧半绝缘多晶硅层和掺氮半绝缘多晶硅层之间的界面缺陷，提高了整个器件性能，以及钝化层的工作可靠性。

主权项

一种钝化层制造方法，其特征在于，包括：通过热氧化方法在硅衬底表面上生成第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层表面上沉积形成掺氧半绝缘多晶硅层；在所述掺氧半绝缘多晶硅层表面上沉积形成掺氮半绝缘多晶硅层，其中，所述掺氧半绝缘多晶硅层和所述掺氮半绝缘多晶硅层的制备工艺类似，仅所采用的具体反应气氛不同；在所述第一氧化硅层表面上沉积形成掺氧半绝缘多晶硅层中，所使用的第一反应气氛包括SiH4、N2O和N2；在所述掺氧半绝缘多晶硅层表面上生长掺氮半绝缘多晶硅层中，所使用的第二反应气氛包括SiH4、NH3和N2；在所述掺氮半绝缘多晶硅层表面上生成第二氧化硅层；其中，所述通过热氧化方法在硅衬底表面上生成第一氧化硅层，具体包括：将所述硅衬底放入到氧化炉中，通入保护气体并进行退火，所述退火温度为700‑950℃；向所述氧化炉内充入氧气并将所述氧化炉内温度升到预设氧化温度，保持第一时间，所述预设氧化温度为800‑1200℃；向所述氧化炉内充入惰性气体并将所述氧化炉内温度降低到初始温度，所述氧化炉内压力为0.5‑1bar。