[发明专利]平面VDMOS器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种平面VDMOS器件的制造方法，包括：在外延层的表面上生成初氧层，对初氧层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口，通过体区注入窗口对外延层进行两种离子的注入和驱入，形成体区和源区；去掉外延层的表面上的初氧层；在外延层的表面上依次生成栅氧层、多晶硅层和介质层；对介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过接触孔对外延层进行第三离子的注入和驱入，形成深体区；对源区进行刻蚀；在介质层的表面上生成金属层并对其进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，从而保证在体区、源区和深体区的形成过程中，不会在栅氧层中引入大量可动电荷，从而减小栅源间漏电IGSS，提高平面VDMOS器件的性能。

主权项

1.一种平面VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：在外延层的表面上生成初氧层，对所述初氧层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口，通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第一离子的注入和驱入，形成体区；通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第二离子的注入和驱入，形成源区；去掉所述外延层的表面上的所述初氧层；在所述外延层的表面上依次生成栅氧层、多晶硅层和介质层；对所述介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过所述接触孔对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区；对所述源区进行刻蚀；在所述介质层的表面上生成金属层，并对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线；所述对所述介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过所述接触孔对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区，包括：对所述介质层进行光刻；分别对介质层、多晶硅层和栅氧层进行刻蚀，形成接触孔；通过所述接触孔对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区。