[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410217166.9 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104253599B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 池田健太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备常关断型晶体管，具有与源极端子连接的第1源极、第1漏极、与栅极端子连接的第1栅极；以及常开启型晶体管，具有与第1漏极连接的第2源极、与漏极端子连接的第2漏极、与栅极端子连接的第2栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：常关断型晶体管，具有与源极端子连接的第1源极、第1漏极、与栅极端子连接的第1栅极；常开启型晶体管，具有栅极绝缘膜、与上述第1漏极连接的第2源极、与漏极端子连接的第2漏极、及与上述栅极端子连接的第2栅极；以及电平位移元件，设置在上述栅极端子与上述第2栅极之间，具有位移电压，使上述第2栅极侧的电压降低上述位移电压的量，上述电平位移元件的上述位移电压，比上述常关断型晶体管导通时上述栅极端子被施加的栅极电压、与上述常关断型晶体管的导通电阻和额定电流之积的差小，上述电平位移元件的上述位移电压大于如下电压，该电压为：从上述常关断型晶体管导通时上述栅极端子被施加的栅极电压、与上述常关断型晶体管的导通电阻和额定电流之积的差中，减去5V而得到的电压。
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