[发明专利]一种钕铁硼磁体的烧结方法有效
| 申请号： | 201410217229.0 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103971919B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈芳芳 | 申请（专利权）人： | 京磁材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;B22F3/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 101300*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种钕铁硼磁体的烧结方法，包括以下步骤将制备钕铁硼磁体的原料经过第一次烧结后，得到一次烧结体；在真空或保护气体的条件下，将上述步骤得到的一次烧结体进行第二次烧结后，得到钕铁硼磁体。使用本发明的方法烧结的钕铁硼磁体，具有较高的磁体密度和磁性能，尤其是针对一次烧结后得到的密度低、性能差的磁体，本发明提供的烧结方法能够有效的提高磁体密度和磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 磁体 烧结 方法 | ||
【主权项】：
一种钕铁硼磁体的烧结方法，包括以下步骤：A）将制备钕铁硼磁体的原料经过第一次烧结后，得到烧结成型的钕铁硼磁体；B）在真空或保护气体的条件下，将步骤A）得到的烧结成型的钕铁硼磁体进行第二次烧结后，得到钕铁硼磁体；所述步骤B）具体为：B1）在真空条件或保护气体的条件下，将步骤A）得到的一次烧结体进行第一次升温烧制，然后进行第一次恒温后，再次进行第二次升温烧制，第二次恒温后，最后冷却后得到烧结中间体；所述第一次升温的温度为1000~1100℃；所述第二次升温的温度比第一次烧结的温度低10~50℃；B2）将上述烧结中间体进行回火处理后，得到钕铁硼磁体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京磁材料科技股份有限公司，未经京磁材料科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410217229.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
