[发明专利]一种自对准双层图形的形成方法

摘要

本发明提供了一种自对准双层图形的形成方法，包括以下步骤,提供一半导体衬底，且在半导体衬底上依次形成有氧化硅层、多晶硅层、氧化硅层、底部抗反射层和光刻胶层，并对光刻胶层进行曝光显影；通过刻蚀工艺依次对底部抗反射层和氧化硅层进行刻蚀，直到暴露出多晶硅层上表面和氧化硅层的顶部表面；在氧化硅核心图形顶部、侧壁表面以及多晶硅层上表面形成氮化硅层；去除氧化硅核心图形顶部表面的氮化硅层，以及多晶硅层上表面的氮化硅层；去除氧化硅核心图形，并以氮化硅侧墙为阻挡层对多晶硅层以及氧化硅层进行刻蚀；去除顶部氮化硅侧墙，形成自对准双层图形。本发明利用上述方法最终可形成的刻蚀图形的侧壁形貌稳定。

主权项

一种自对准双层图形的形成方法，其特征在于，包括：步骤S01：提供一半导体衬底，且在所述半导体衬底上依次形成有氧化硅层、多晶硅层、氧化硅层、底部抗反射层和光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光显影；步骤S02：通过刻蚀工艺依次对所述底部抗反射层和氧化硅层进行刻蚀，直到暴露出所述多晶硅层上表面和氧化硅层的顶部表面，以形成氧化硅核心图形；步骤S03：在所述氧化硅核心图形顶部、侧壁表面以及多晶硅层上表面形成氮化硅层；其中，通过原子层沉积工艺沉积氮化硅层，并通入富含硅前驱体，以避免在沉积过程中核心图形形貌发生变化；步骤S04：去除所述氧化硅核心图形顶部表面的氮化硅层，以及所述多晶硅层上表面的氮化硅层，以形成氮化硅侧墙；其中，去除工艺是采用等离子干法刻蚀工艺，对所述氮化硅层进行回刻蚀，使所述氮化硅侧墙的顶部与氧化硅核心图形顶部平齐，所述氮化硅侧墙的底部与多晶硅层的上表面平齐，形成与待刻蚀材料层垂直的侧墙；步骤S05：去除所述氧化硅核心图形，并以所述氮化硅侧墙为阻挡层对多晶硅层以及氧化硅层进行刻蚀；步骤S06：去除顶部氮化硅侧墙，形成自对准双层图形。