[发明专利]一种MEMS压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201410217858.3 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN105092137B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张先明;伏广才;杨天伦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS压力传感器的制备方法，所述方法包括提供基底，所述基底上形成有层间介质层以及位于所述层间介质层中的接触通孔；在所述接触通孔上方依次形成热扩散阻挡层和无定型硅材料层；对所述无定型硅材料层进行离子注入；在所述无定型硅材料层的上方形成压力传感膜；执行退火步骤。本发明具有以下优点；(1)无定型硅材料层(amorphous‑Si)可以通过低温沉积的方法形成，而且和MEMS工艺过程相互兼容。(2)由于所述无定型硅材料层(amorphous‑Si)的设置，可以防止在MEMS过程中产生的电子传导至基底中的CMOS器件。(3)避免CMOS器件的失效，进一步提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS压力传感器的制备方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上形成有层间介质层以及位于所述层间介质层中的接触通孔；在所述接触通孔上方依次形成热扩散阻挡层和无定型硅材料层；对所述无定型硅材料层进行离子注入；在所述无定型硅材料层的上方形成压力传感膜；执行退火步骤，以激活注入的所述离子。
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