[发明专利]半导体存储器、半导体存储阵列及其操作方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器，所述半导体存储器至少包括半导体衬底，所述半导体衬底上至少包括一存储位结构，所述存储位结构包括：形成在半导体衬底中的源极掺杂区和漏极掺杂区；形成在源极掺杂区和漏极掺杂区之间的半导体衬底上的存储器栅极堆栈结构；形成在存储器栅极堆叠结构两侧的侧墙，包括位于源极掺杂区一侧的源极侧墙和位于漏极掺杂区一侧的漏极侧墙；形成在侧墙外侧的金属接触结构，包括位于源极掺杂区上的源极金属接触结构和位于漏极掺杂区上的漏极金属接触结构；其中，所述漏极侧墙的厚度小于本发明的技术方案可以避免现有技术中在进行擦除操作时候，所有的存储位结构都要被激活，从而导致存储器寿命减小的问题。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器至少包括半导体衬底，所述半导体衬底上至少包括一存储位结构，所述存储位结构包括：形成在半导体衬底中的源极掺杂区和漏极掺杂区；形成在源极掺杂区和漏极掺杂区之间的半导体衬底上的存储器栅极堆栈结构；形成在存储器栅极堆叠结构两侧的侧墙，包括位于源极掺杂区一侧的源极侧墙和位于漏极掺杂区一侧的漏极侧墙；形成在侧墙外侧的金属接触结构，包括位于源极掺杂区上的源极金属接触结构和位于漏极掺杂区上的漏极金属接触结构；其中，所述漏极侧墙的厚度小于所述存储位结构中，同一行的所述存储位结构的漏极金属接触结构互相电性连接至位线，同一列的所述存储位结构的源极金属接触结构互相电性连接至字线，同一行的所述存储位结构的存储器栅极堆栈结构互相电性连接至控制栅线；当对所述半导体存储器进行擦除操作时，被选中的所述存储位结构中的所述控制栅线和所述半导体衬底提供相同电压。