[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410219008.7 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097929A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 于书坤;韦庆松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。其中，半导体器件包括：衬底，沿远离衬底的方向上依次设置于衬底的表面的栅介质层和栅极，以及设置于栅极和栅介质层的侧壁上的偏移间隙壁，该偏移间隙壁包括：第一偏移间隙壁，设置在栅极和栅介质层的侧壁上；第二偏移间隙壁，设置在第一偏移间隙壁远离栅极的一侧，第二偏移间隙壁的刻蚀速率小于第一偏移间隙壁的刻蚀速率。上述第一偏移间隙壁和第二偏移间隙壁能够对栅极产生保护作用，减少了栅极由于刻蚀等工艺受到的损坏。同时，利用刻蚀速率越高偏移间隙壁形成温度越低的特性，使第一偏移间隙壁的形成温度小于第二偏移间隙壁，从而减少了高温环境造成栅介质层的重结晶，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底，沿远离所述衬底的方向依次设置于所述衬底的表面的栅介质层和栅极，以及设置于所述栅极和栅介质层的侧壁上的偏移间隙壁，其特征在于，所述偏移间隙壁包括：第一偏移间隙壁，设置在所述栅极栅介质层的侧壁上；第二偏移间隙壁，设置在所述第一偏移间隙壁远离所述栅极的一侧，所述第二偏移间隙壁的刻蚀速率小于所述第一偏移间隙壁的刻蚀速率。
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