[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201410219056.6 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105098068A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐佳;任佳栋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，采用氩溅射工艺形成环形相变材料，因此，可以降低相变材料与底电极之间的接触面积，从而可以降低半导体器件的驱动电流，最终降低半导体器件的功耗。本发明半导体器件，采用前述方法制造，具有驱动电流低等优点。本发明的电子装置，使用了上述的半导体器件，因而同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在前端器件上形成第一绝缘层，并形成位于所述第一绝缘层内的第一接触孔以及位于所述第一接触孔内的底电极；步骤S102：形成位于所述第一绝缘层之上的第二绝缘层，在所述第二绝缘层内形成位于所述底电极上方的第二接触孔；步骤S103：形成覆盖所述第二接触孔的底部与侧壁的相变材料层，通过氩溅射工艺去除所述相变材料层位于所述第二接触孔底部的部分，以形成环形相变材料。
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