[发明专利]一种高效P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种高效P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其工艺流程包括：P型硅衬底单晶硅激光开槽、制绒并对其清洗、正面扩散形成PN结、选择性发射极形成以及去背结和磷硅玻璃、双面镀膜、背面局部区域开膜和电极制作，该制备方法通过采用刻槽埋栅加选择性发射结，提高正面受光面积的同时降低了金属材料的接触电阻，背面采用薄膜钝化技术取代全铝背场充分降低了背面的复合且改进了背面发射，三者结合有效地降低了两个表面的光学和电学损失，并且该制备方法不仅克服了现有技术电极易脱落的问题，还与目前企业生产线兼容性高，充分减少设备投资。

主权项

一种高效P型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其特征在于：其工艺流程包括：P型硅衬底单晶硅激光开槽‑制绒并对其清洗‑正面扩散形成PN结‑选择性发射极形成以及去背结和磷硅玻璃‑双面镀膜‑背面局部区域开膜‑电极制作。