[发明专利]铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法

摘要

本发明提供了一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，包括硅片去损伤并制绒、清洗；磷扩散；背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗；背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；正面氮化硅减反射薄膜生长；背面印刷烧穿型铝浆，烘干；背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；烧结，测试。本发明的电池背面点接触采用烧穿型的铝浆同时实现薄膜开孔，铝硅接触且接触处形成局域铝背场，这样就将两步工艺步骤（薄膜上激光开孔，铝浆烧结与硅接触）缩短为一步（采用烧穿薄膜的铝浆，无需先行薄膜开孔）完成，省去了激光设备的投资，充分利用了闲置的印刷设备，具有现实意义。

主权项

一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择p型硅片作为硅基体，对选择的p型硅片去损伤后在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；（2）磷扩散：对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；（3）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗；（4）在硅片的背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；（5）在硅片的正面氮化硅减反射薄膜生长；（6）背面印刷烧穿型铝浆，烘干；（7）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；（8）烧结，测试：烧结过程中铝浆烧穿背面薄膜，形成局域铝背场且与硅衬底形成良好的欧姆接触。