[发明专利]可量产的硼扩散结合磷离子注入的太阳电池的制作方法

摘要

本发明提供的本发明提供了一种可量产的硼扩散结合磷离子注入的太阳电池的制作方法，包括硅片双面抛光；背面硼扩散；硼硅玻璃去除，正面去除扩散层，且反刻背面去除因硼扩散而形成的死层；背面沉积氮化硅薄膜作为制绒保护膜；正面单面制绒；去除背面的氮化硅薄膜，清洗；正面离子注入磷，并退火；等离子刻边；背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；正面沉积氮化硅减反射膜；背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层；背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；烧结，测试。本发明是一种可量产高效晶硅太阳能电池的制备方法，在商业化的工业设备基础上，充分利用目前企业生产线已具备的常规电池生产设备，充分减少设备投资，且不增加电池每瓦制造成本。

主权项

一种可量产的硼扩散结合磷离子注入的太阳电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)硅片双面抛光；(2)背面硼扩散；(3)硼硅玻璃去除，正面去除因背面硼扩散而渗透形成的扩散层，且反刻背面去除因硼扩散而形成的死层：采用在线滚轮式设备进行去除；(4)背面沉积氮化硅薄膜作为制绒保护膜；(5)正面单面制绒；(6)去除背面的氮化硅薄膜，清洗；(7)正面离子注入磷，并退火；(8)等离子刻边；(9)背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；(10)正面沉积氮化硅减反射膜；(11)背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：采用激光在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触；(12)背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；(13)烧结，测试；其中，步骤1具体为选择电阻率为0.5‑6ohm·cm的P型硅片，用质量分数为0.5‑10％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在45‑100℃下对P型硅片表面进行抛光；步骤2是在扩散炉中在600‑900℃的温度下，对硅片的背面进行磷扩散，使P型晶体硅方阻为20‑150ohm/sq；步骤4中的氮化硅薄膜的厚度为50‑120nm；步骤5具体是用质量分数为0.5‑10％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在45‑100℃下对硅片的正面进行进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面；步骤7具体为先离子注入磷源，在离子束能量为8‑15keV、离子注入量为1×1015‑7×1015cm‑2后，再在退火炉中，在800‑1000℃的温度下退火，退火后的P型晶体硅方阻为40‑120ohm/sq。