[发明专利]一种可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法有效
申请号: | 201410219828.6 | 申请日: | 2014-05-23 |
公开(公告)号: | CN103996746B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;陈同银;刘仁中;董经兵;张雪;谢烜;张斌;邢国强 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供的本发明提供了一种可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法,包括硅片去损伤并制绒、清洗;磷扩散;背面磷硅玻璃去除,并实现背面抛光,去除磷硅玻璃并清洗;背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长;正面氮化硅减反射薄膜生长;背面印刷p型掺杂剂并烘干;背面的p型掺杂剂印刷区域采用激光进行局域重掺杂;超声清洗;背面印刷背电极及铝背场,正面印刷银栅线;烧结,测试。本发明步骤简单、易于操作,是一种可量产高效晶硅太阳能电池的制备方法,其主要特点为在商业化的工业设备基础上,充分利用目前企业生产线已具备的常规电池生产设备,充分减少设备投资,且不增加电池每瓦制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 量产 perl 晶体 太阳电池 制作方法 | ||
【主权项】:
一种可量产PERL晶体硅太阳电池的制作方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)硅片去损伤并制绒、清洗:选择p型硅片作为硅基体,对选择的p型硅片去损伤后在碱液下进行表面绒面化,然后在酸性条件下进行化学清洗,除去表面杂质;p型硅片其电阻率为0.5‑6ohm·cm,对硅片的制绒、清洗具体为:用质量分数为0.5‑2%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在75‑85℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀,制备出金字塔形状的绒面,随后用质量分数为0.5‑30%的氢氟酸进行清洗;(2)磷扩散:对硅片的正面进行磷扩散形成n型层,扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜,实现背面去除发射结以及抛光的目的;(3)背面磷硅玻璃去除,并实现背面抛光,去除磷硅玻璃并清洗;(4)在硅片的背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长;(5)在硅片的正面氮化硅减反射薄膜生长;(6)在硅片的背面印刷p型掺杂剂并烘干;(7)在硅片的背面的p型掺杂剂印刷区域采用激光进行局域重掺杂;(8)对硅片进行超声清洗;(9)在硅片的背面印刷背电极及铝背场,正面印刷银栅线;(10)烧结,测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的