[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410220039.4 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097930A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 高健;刘磊;刘达 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括：在衬底的正面上形成栅极，并在衬底的背面上形成与栅极的材料相同的栅极材料层；在栅极的侧壁上形成侧壁层，并在栅极材料层的表面上形成与侧壁层的材料相同的侧壁材料层；在侧壁材料层远离衬底的一侧上形成介质层；形成覆盖栅极、侧壁层以及衬底的裸露表面的应变材料层；执行退火工艺以在栅极和衬底中朝向应变材料层的一侧形成应力层；以及湿法刻蚀去除应变材料层。该制作方法减少了由湿法刻蚀造成的衬底背面的损伤，从而减少了衬底背面的损伤对所形成的半导体器件以及后续制程的机台及环境的污染，从而提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：在衬底的正面上形成栅极，并在所述衬底的背面上形成与所述栅极的材料相同的栅极材料层；在所述栅极的侧壁上形成侧壁层，并在所述栅极材料层的表面上形成与所述侧壁层的材料相同的侧壁材料层；在所述侧壁材料层远离所述衬底的一侧上形成介质层；形成覆盖所述栅极、侧壁层以及衬底的裸露表面的应变材料层；执行退火工艺以在所述栅极和衬底中朝向所述应变材料层的一侧形成应力层；以及湿法刻蚀去除所述应变材料层。
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