[发明专利]GaN衬底储存方法

摘要

本发明涉及GaN衬底储存方法。提供一种可以用于制造有利性能的半导体器件的储存GaN衬底的方法。在GaN衬底储存方法中，GaN衬底(1)储存在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或12g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛中。在由储存方法储存的GaN衬底上的第一主面的表面粗糙度Ra和第二主面的表面粗糙度Ra分别不大于20nm和不大于20μm。另外，实施该GaN衬底以使得主面与(0001)面形成偏轴角，该偏轴角在方向上为0.05°到2°，以及在方向上为0°到1°。

主权项

一种GaN衬底储存方法，其采用配备有进气阀和排气阀的储存器件，所述进气阀和排气阀与相应的进气线和排气线相连接，所述GaN衬底储存方法包括：放置步骤，在所述储存器件的内部的气氛的温度为5℃至60℃的情况下，将多个准备形成器件的GaN衬底放置到所述储存器件中，其中，在所述放置步骤之前，将每个所述准备形成器件的GaN衬底处理成以使得沿着每个GaN衬底的第一主面具有20nm以下的表面粗糙度Ra，以及使得沿着每个GaN衬底的第二主面具有20μm以下的表面粗糙度Ra；进气/排气步骤，经由所述进气线和进气阀，将不大于18vol.％的氧浓度且不大于25g/m3的水蒸汽浓度的惰性气体引入到所述储存器件中，以及经由所述排气线和排气阀，将大于18vol.％氧浓度和大于25g/m3的水蒸汽浓度的气体从所述储存器件排出，从而在所述储存器件的内部生成具有18vol.％以下的氧浓度以及25g/m3以下的水蒸汽浓度的气氛；以及密封步骤，将多个衬底密封到对于氧和水蒸汽隔绝的储存容器中。