[发明专利]外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置

摘要

本发明涉及外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置。制造外延晶片的方法包括在III-V族半导体衬底上生长外延层结构的步骤，该外延层结构包括III-V族半导体多量子阱和III-V族半导体表面层，其中执行在衬底上生长外延层结构的步骤，使得多量子阱相对于衬底的晶格失配△ω满足-0.13％≤△ω<0％或0％<△ω≤+0.13％的范围，该范围的中心偏离零，并且源自多量子阱的零阶衍射峰中的X射线摇摆曲线具有30秒或更小的半峰全宽(FWHM)。

主权项

一种制造外延晶片的方法，所述方法包括：在III‑V族半导体衬底上生长外延层结构的步骤，所述外延层结构包括III‑V族半导体多量子阱和III‑V族半导体表面层，其中执行在所述衬底上生长外延层结构的步骤，使得所述多量子阱相对于所述衬底的晶格失配△ω满足‑0.13％≤△ω<0％或0％<△ω≤+0.13％的范围，所述范围的中心偏离零，并且源自所述多量子阱的零阶衍射峰中的X射线摇摆曲线具有30秒或更小的半峰全宽。