[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201410222155.X | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104022197B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;王江波;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，有源层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，量子阱层为InGaN层，量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，第二量子垒层为有源层中最靠近P型层的一个量子垒层，第一量子垒层为除第二量子垒层以外的量子垒层，第一量子垒层为GaN层，第二量子垒层包括交替生长的第一子层和第二子层，第一子层为GaN层，第二子层为AlGaN层。本发明通过将有源层中最靠近P型层的量子垒层改为交替生长的GaN层和AlGaN层，提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，所述有源层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，其特征在于，所述量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，所述第二量子垒层为所述有源层中最靠近所述P型层的一个量子垒层，所述第一量子垒层为除所述第二量子垒层以外的量子垒层，所述第一量子垒层为GaN层，所述第二量子垒层包括交替生长的第一子层和第二子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为AlGaN层，所述第二子层中Al、Ga、N的组分含量比为x：(1‑x)：1；所述第二量子垒层中不掺杂Mg，所述第一子层的层数为6，所述第二子层的层数为6，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为13埃、15埃，x为0.4；或者，所述第二量子垒层中不掺杂Mg，所述第一子层的层数为6，所述第二子层的层数为6，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为22埃、25埃，x为0.25；或者，所述第二量子垒层中掺有Mg，所述第一子层的层数为4，所述第二子层的层数为4，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为10埃、12埃，x为0.3；或者，所述第二量子垒层中掺有Mg，所述第一子层的层数为4，所述第二子层的层数为4，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为6埃、8埃，x为0.45。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(苏州）有限公司，未经华灿光电(苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410222155.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
