[发明专利]一种光掩模图案的修复方法在审
申请号: | 201410222368.2 | 申请日: | 2014-05-23 |
公开(公告)号: | CN105093817A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 吴苇;王云海 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/74 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种光掩模图案的修复方法,所述修复方法包括步骤:提供光掩模,所述光掩模包括透明基板和位于所述透明基板上且具有掩模图案的遮光层,所述掩模图案具有待修复部分;刻蚀所述透明基板,在与所述待修复部分对应的位置形成与待修复部分图案相同的沟槽;沉积修复材料至所述沟槽中,修复所述光掩模图案。本发明通过在所述透明基板中制作沟槽并将修复材料填充在沟槽中,确保修复完成后,修复材料与透明基板稳定结合,使之可以经受高强度的清洗工艺,避免修复材料再次缺损,保证光掩模的可靠性,提高光掩模的产率。 | ||
搜索关键词: | 一种 光掩模 图案 修复 方法 | ||
【主权项】:
一种光掩模图案的修复方法,其特征在于,所述光掩模图案修复方法至少包括:提供光掩模,所述光掩模包括透明基板和位于所述透明基板上且具有掩模图案的遮光层,所述掩模图案具有待修复部分;刻蚀所述透明基板,在与所述待修复部分对应的位置形成与待修复部分图案相同的沟槽;沉积修复材料至所述沟槽中,修复所述光掩模图案。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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