[发明专利]FINFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410222725.5 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104934472B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;陈冠霖;王昭雄;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种器件，该器件包括衬底、鳍结构、第一源极/漏极区、以及第二源极/漏极区；其中，衬底包括硅；鳍结构包括由硅形成且由隔离区环绕的下部、由碳化硅锗形成的中部、由硅形成的上部和在中部与上部之间形成的碳化硅层，其中，中部由氧化物层环绕，上部包括沟道；第一源极/漏极区包括第一磷化硅区和在第一磷化硅区下面形成的第一碳化硅层；并且第二源极/漏极区包括第二磷化硅区和在第二磷化硅区下面形成的第二碳化硅层。本发明还提供了FINFET结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底，由第一半导体材料形成；鳍结构，从所述衬底上方突出，其中，所述鳍结构包括：下部，由所述第一半导体材料形成；中部，由第二半导体材料形成，所述鳍结构的中部包括氧化物外层；上部，由所述第一半导体材料形成，其中，所述上部包括连接在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的沟道；和第一碳掺杂层，形成在所述中部和所述上部之间；第二碳掺杂层，形成在所述第一源极/漏极区下面；以及第三碳掺杂层，形成在所述第二源极/漏极区下面。
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