[发明专利]利用多晶硅、单晶硅切割废料制备氮化硅/碳化硅的方法有效
| 申请号： | 201410223555.2 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN103979539A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李文魁;陈飞洋;陈智琴;罗珊珊 | 申请（专利权）人： | 江西科技师范大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C01B21/068 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330013 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用多晶硅或单晶硅切割肥料制备氮化硅/碳化硅复合陶瓷的方法。该方法利用多晶硅或单晶硅切割废料为原料，添加氧化物、Fe粉等的一种或几种，通过高温自蔓延方法制备具有多孔结构的氮化硅/碳化硅复合陶瓷。该发明可以以低廉的成本来处理多晶硅、单晶硅的切割废料。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 多晶 单晶硅 切割 废料 制备 氮化 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种利用多晶硅、单晶硅切割废料制备氮化硅/碳化硅的方法，该方法利用多晶硅或单晶硅切割产生的废料为主要原料，添加多晶硅粉末，再添加氮化硅生长促进剂，经球磨、干燥后，在自蔓延反应炉中，在氮气气氛中点燃，生成氮化硅/碳化硅。
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