[发明专利]制备热电材料用的Cu3SbSe4纳米晶体及其合成方法有效
| 申请号： | 201410223563.7 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104047059A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 樊先平;吴一民;乔旭升;万军;程文煜;高骏 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B7/14;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的制备热电材料用的Cu3SbSe4纳米晶体，其尺寸为20～50nm。其合成步骤包括：将SeO2加入到ODE中制得Se-ODE前驱体溶液；在二水氯化铜、氯化锑和十六胺中加入ODE，制得Cu-Sb-ODE前驱体溶液；用注射器将Se-ODE前驱体溶液以10ml/s的速率注入到Cu-Sb-ODE前驱体溶液中，加入油酸，然后与氯仿反应得到悬浮液，再加入异丙醇得到沉淀，离心，获得形状规则，尺寸分布均匀的Cu3SbSe4纳米晶体。本发明原料价格低廉，合成工艺简单，操作方便，相比于传统制备过程耗能显著降低。该Cu3SbSe4纳米晶体用于制备热电材料，具有晶格热导率低，热电优值高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 热电 材料 cu sub sbse 纳米 晶体 及其 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种制备热电材料用的Cu3SbSe4纳米晶体，其特征在于该纳米晶体尺寸为20～50nm。
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