[发明专利]一种太阳电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201410224302.7 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104022171A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;沈启群 | 申请（专利权）人： | 无锡中能晶科新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 214200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括玻璃衬底（1），在衬底上依次叠加的n+/p+型a-Si：H发射层（2）、p-/n-型多晶Si吸收层（3）和p+/n+型a-Si：H被表面场（4）；p-/n-型多晶Si吸收层（3）和p+/n+型a-Si：H被表面场（4）覆盖n+/p+型a-Si：H发射层（2）部分表面，留有发射槽（5）。该太阳电池具有廉价玻璃衬底，能量转化率高，制备工艺简单，薄膜厚度进一步降低，适于大规模商业化生产和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳电池，其特征在于：包括衬底，在所述衬底上依次叠加n+/ p+型a‑Si：H发射层（2）、p‑/ n‑型多晶Si吸收层（3）和p+/ n+ 型a‑Si：H被表面场（4）；p‑/ n‑型多晶Si吸收层（3）和p+/ n+ 型a‑Si：H被表面场（4）覆盖n+/ p+型a‑Si：H发射层（2）部分表面，留有发射槽（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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