[发明专利]超晶格含能材料的制备方法有效
申请号: | 201410224837.4 | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN104018132B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 王军;杨光成;谯志强;黄辉 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C30B29/68;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 四川省成都市天策商标专利事务所51213 | 代理人: | 伍孝慈 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种超晶格含能材料的制备方法,属于含能材料制备领域,该方法首先采用Materials Studio等建模软件对超晶格材料的结构进行的理论模拟与计算,得到超晶格含能材料的结构模型,然后选择氧化剂聚四氟乙烯和还原剂如铝、镁、硅,采用磁控溅射制备超晶格含能材料,控制工艺得到单层在亚纳米尺度、高度有序、周期性的结构。超晶格含能材料的设计与制备为高能量密度含能材料提供一种新的结构设计方法和思路,为制备高能量含能材料积累技术基础,超晶格含能材料具有快速、稳定的能量释放特性,在武器弹药部件、微含能器件中具有广泛应用前景。 | ||
搜索关键词: | 晶格 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种超晶格含能材料的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:(1)将硅基底在丙酮中超声洗涤15~25分钟并水洗3~5次,干燥,然后安装在射频磁控溅射室内的镀膜样品台上,打开射频磁控溅射系统;(2)将基础靶材和金属靶材安装到射频磁控溅射室内的两个射频靶位中,所述基础靶材为PTFE靶材,所述金属靶材为Mg靶材、Al靶材、Si靶材中的任意一种;调节射频磁控溅射系统的真空度为5.0×10‑3Pa以下,通入纯度为99.9999%的Ar,体积流量为150~250SCCM;(3)预先溅射基础靶材和金属靶材5~10分钟去除污垢和杂质;(4)以溅射功率5~200W溅射基础靶材1~60分钟,在硅基底上形成一层基础靶材纳米膜;然后以溅射功率5~200W溅射金属靶材1~60分钟,在基础靶材纳米膜上形成一层金属靶材纳米膜;(5)循环步骤(4)的溅射过程,使溅射周期为5~200个周期,获得不同周期数的超晶格含能材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院化工材料研究所,未经中国工程物理研究院化工材料研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410224837.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:差异逻辑至实体的方法与系统
- 下一篇:冗余联系人记录清理方法和系统
- 同类专利
- 专利分类