[发明专利]有机发光二极管显示器和像素在审
申请号: | 201410225027.0 | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN104183623A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 赵泳敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;谭昌驰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种有机发光二极管显示器和一种像素,所述有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:第一晶体管,位于基底上;第一电极,连接到第一晶体管;以及像素限定层,位于第一电极上。像素限定层具有暴露第一电极的开口。间隔物形成在开口处。有机发射层位于暴露的第一电极上,第二电极位于有机发射层上。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 像素 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器包括:基底;第一晶体管,位于基底上;第一电极,连接到第一晶体管;像素限定层,位于第一电极上并且具有暴露第一电极的开口;间隔物,位于开口处;有机发射层,位于暴露的第一电极上;以及第二电极,位于有机发射层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的